2045 年的芯片会是什么样:Dwarkesh 专访英特尔技术高层(1:09:00)
Dwarkesh Patel 用两天时间参观英特尔最先进的晶圆厂后,与英特尔技术高层对谈 1 小时 9 分,内容覆盖 14A 制程推进、晶体管演进、EUV 与芯片产能。
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14A 制程推进:工厂内约有 2000 道工序,现阶段在确定制造工具组合并逐道微调。
10nm 的教训:原定 2016 年推出,2018 年才进入制造;此后英特尔限制每个制程节点加入的创新数量以保证进度。
晶体管演进:从平面晶体管到 FinFET 再到 gate-all-around;gate-all-around 于 1988 年演示,三星 2022 年才开始量产。
High-NA EUV 的取舍:台积电 2019 年把 EUV 投入量产、2020 年在 5nm 上扩大使用,英特尔首个 EUV 制程 2023 年才进入产品。
产能瓶颈:AI 算力过去十年每年增长约 3 倍;英特尔 CTO 表示,以现有的全球芯片制造设备存量,前沿晶圆产量只能翻倍,无法达到 10 倍。
Terafab:从零重新思考晶圆厂的设计。
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